第241章 六遍之後
第二遍裝爐欄翻開後，老孫按第一遍留下的位置標記重新校正推進杆，大劉則把帶料補償器接入查表網絡，讓前段、中段和尾段分別對應一組基準功率。
矽棒進入高溫區後，熔區沿觀察窗刻線穩定展開，方旭東一面盯著紙帶，一面報出推進位置，溫度包絡始終收在正負零點三度以內。
第一遍中段出現過的低頻擺動並未重現，姜明仍守在控制櫃旁，把查表輸出、PID修正量和推進位置逐項對齊，直到熔區抵達尾端富集區才讓老孫降溫。
第二遍結束後，矽棒前段電阻率升至十八歐姆厘米，方旭東將新曲線壓在第一遍記錄上，兩條線從中段開始分開，尾端則同時向低值區收攏。
「位置補償起作用了，前段基準功率還能再細分，第三遍把二十毫米一檔改成十毫米一檔。」
第三遍推進時，熔區經過矽棒中段，PID修正量只在窄幅內來回移動，溫度精度由正負零點三度收進正負零點二五度。
老孫守著推進機構，手掌一直搭在調速柄旁，看到紙帶線條平順下來，他才端起涼透的搪瓷缸子喝了一口。
「鍺料那回重走六遍，我還覺得這輩子夠受了，換成矽，又得把爐子重新教一遍。」
「爐子記不住，記錄能記住。」
方旭東接過他報來的位置，把第三遍最後一組電流寫進表格，話說得輕，落筆時卻比平日更慢。
他清楚眼前每一項數字的分量，502從九百多度跨到一千四百多度，靠的正是這些寫滿紙帶邊緣的修正值。
第四遍開始前，大劉完成帶料查表器最後一輪校準，碳化矽棒兩端夾頭經過數次高溫循環，接觸電阻仍維持在規定區間。
熔區再次穿過整根矽棒時，爐溫穩定在正負零點二度，前中尾三段的基準功率切換平順，控制櫃裡的方向繼電器也只在規定節點動作。
第四遍電阻率測量完成後，前段跨過六十歐姆厘米，尾端則降到兩歐姆厘米附近，雜質遷移形成的斜坡比前三遍更加集中。
第五遍和第六遍隨即接續進行，老孫與大劉分成兩班守爐，方旭東每次取樣都複測探針壓力和樣品溫度，再將結果添進同一張長坐標紙。
六遍結束時，矽棒前段電阻率達到一百歐姆厘米左右，換算雜質濃度約為10¹³每立方厘米，純度由三個九一路跨入六個九。
尾端最後二十毫米則跌到一歐姆厘米以下，坐標紙上的曲線貼著邊緣向下折去，紅鉛筆標出的切除區比第一遍更加醒目。
林蘭英覆核完最後兩個測點，把探針架推回原位，目光仍落在前段那組數字上。
「同一批料，同一台爐，六遍做到這個程度，工藝波動已經壓住了。」
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姜明取出鍺料六遍提純曲線，將兩張坐標紙按歸一化長度疊在燈下，矽和鍺的絕對數值差異明顯，曲線形態卻沿著相近的方向收縮。
他把矽的黏度、雜質擴散係數與有效分凝係數重新代入BPS模型，計算線從前段延伸到尾部，實測拐點始終落在誤差帶內。
旋轉盤邊界層理論從鍺熔體遷移到矽熔體之後，物性參數全數改換，控制雜質輸運的底層關係仍然成立。
這份驗證讓姜明心裡踏實下來，可第四遍至第六遍的增長幅度又讓他把鉛筆移回前段，六十歐姆、八十四歐姆和一百歐姆之間的間隔正在收窄。
若只按分凝模型外推，第六遍前段還應再高一截，現有曲線卻提前出現趨緩，說明爐內正在加入新的雜質來源。
他把碳化矽棒累計通電時間、最高溫區功率和矽棒前段雜質濃度排在一處，隨後翻出鍺時代石墨坩堝的記錄，兩個階段的曲線末端呈現出相近的受限形態。
「一千四百度以上，碳化矽棒會釋放微量碳和矽蒸氣，碳進入熔區後留在晶格間隙里，前端剛被提純，爐子又在往裡添東西。」
黃昆接過兩份記錄，沿著第四遍後的斜率逐行核對，臉上的神情越來越沉。
「加熱體和熔體容器的潔淨度，已經成了這台爐子的上限。」
「要往七個九走，得換更清潔的加熱方式，射頻感應加熱配懸浮區熔是一條路，繼續改密封和隔離加熱體也能爭取空間。」
姜明在試驗結論後寫下兩種方向，現階段的高頻電源、線圈材料和爐體條件都難以支撐完整改造，他因此只把它們列入後續技術儲備。
王守武當天傍晚趕到物理所，坐在記錄台前從第一遍裝爐數據翻到第六遍電阻率曲線，又把六卷溫控紙帶按時間順序鋪開。
他自己的實驗室也做過矽區域提純，手動調壓時爐溫隨值班人員經驗移動，最好一批停在五個九，重複試驗還會出現明顯散差。
眼前這套閉環控制把溫度、推進位置和材料負載綁在同一組記錄里，六遍結果能夠互相覆核，差距已經落到工藝控制本身。
王守武翻了許久，才摘下眼鏡擦淨鏡片，又將六遍記錄和溫控曲線依次裝進灰藍色公文包。
他在封面上寫下502矽區域提純技術交接材料，隨後轉向姜明。
「這套資料我帶回組裡，我們把擴散爐和單晶生長一起排進下一步計劃，材料、設備和人都按聯合項目準備。」
此時此刻，第三電子廠厂部，吳漢章也從張廠長手中接過第二批預研資金批覆，審批單的矽材料專項經費已經單獨列項。
注釋欄里只有一行字，K波段預研緊急，資源優先保障。
吳漢章回到502時，方旭東正更新總進度表，他把批覆壓在矽單晶生長一欄旁，紙上的厂部紅章覆蓋了原先空著的資源編號。
矽區域提純已經轉入驗證完成狀態，下一項則寫著坩堝材料、保護氣氛、旋轉速度與BPS參數重算。
姜明翻開舊硬皮備忘錄，將鍺工藝驗證、矽區域提純、矽單晶生長、勞厄定向與雙擴散重試依次寫入階段結論。
雷振邦留下的五個九純度配合晶向控制，已經從鍺器件延伸到矽路線，舊方法正沿著新的材料體系繼續向前。
吳漢章看完那頁記錄，把第二批資金批覆向前推了推。
「經費到了，王守武那邊也準備動，他下一次來，帶的恐怕就不只是記錄了。」
矽棒進入高溫區後，熔區沿觀察窗刻線穩定展開，方旭東一面盯著紙帶，一面報出推進位置，溫度包絡始終收在正負零點三度以內。
第一遍中段出現過的低頻擺動並未重現，姜明仍守在控制櫃旁，把查表輸出、PID修正量和推進位置逐項對齊，直到熔區抵達尾端富集區才讓老孫降溫。
第二遍結束後，矽棒前段電阻率升至十八歐姆厘米，方旭東將新曲線壓在第一遍記錄上，兩條線從中段開始分開，尾端則同時向低值區收攏。
「位置補償起作用了，前段基準功率還能再細分，第三遍把二十毫米一檔改成十毫米一檔。」
第三遍推進時，熔區經過矽棒中段，PID修正量只在窄幅內來回移動，溫度精度由正負零點三度收進正負零點二五度。
老孫守著推進機構，手掌一直搭在調速柄旁，看到紙帶線條平順下來，他才端起涼透的搪瓷缸子喝了一口。
「鍺料那回重走六遍，我還覺得這輩子夠受了，換成矽，又得把爐子重新教一遍。」
「爐子記不住，記錄能記住。」
方旭東接過他報來的位置，把第三遍最後一組電流寫進表格，話說得輕，落筆時卻比平日更慢。
他清楚眼前每一項數字的分量，502從九百多度跨到一千四百多度，靠的正是這些寫滿紙帶邊緣的修正值。
第四遍開始前，大劉完成帶料查表器最後一輪校準，碳化矽棒兩端夾頭經過數次高溫循環，接觸電阻仍維持在規定區間。
熔區再次穿過整根矽棒時，爐溫穩定在正負零點二度，前中尾三段的基準功率切換平順，控制櫃裡的方向繼電器也只在規定節點動作。
第四遍電阻率測量完成後，前段跨過六十歐姆厘米，尾端則降到兩歐姆厘米附近，雜質遷移形成的斜坡比前三遍更加集中。
第五遍和第六遍隨即接續進行，老孫與大劉分成兩班守爐，方旭東每次取樣都複測探針壓力和樣品溫度，再將結果添進同一張長坐標紙。
六遍結束時，矽棒前段電阻率達到一百歐姆厘米左右，換算雜質濃度約為10¹³每立方厘米，純度由三個九一路跨入六個九。
尾端最後二十毫米則跌到一歐姆厘米以下，坐標紙上的曲線貼著邊緣向下折去，紅鉛筆標出的切除區比第一遍更加醒目。
林蘭英覆核完最後兩個測點，把探針架推回原位，目光仍落在前段那組數字上。
「同一批料，同一台爐，六遍做到這個程度，工藝波動已經壓住了。」
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姜明取出鍺料六遍提純曲線，將兩張坐標紙按歸一化長度疊在燈下，矽和鍺的絕對數值差異明顯，曲線形態卻沿著相近的方向收縮。
他把矽的黏度、雜質擴散係數與有效分凝係數重新代入BPS模型，計算線從前段延伸到尾部，實測拐點始終落在誤差帶內。
旋轉盤邊界層理論從鍺熔體遷移到矽熔體之後，物性參數全數改換，控制雜質輸運的底層關係仍然成立。
這份驗證讓姜明心裡踏實下來，可第四遍至第六遍的增長幅度又讓他把鉛筆移回前段，六十歐姆、八十四歐姆和一百歐姆之間的間隔正在收窄。
若只按分凝模型外推，第六遍前段還應再高一截，現有曲線卻提前出現趨緩，說明爐內正在加入新的雜質來源。
他把碳化矽棒累計通電時間、最高溫區功率和矽棒前段雜質濃度排在一處，隨後翻出鍺時代石墨坩堝的記錄，兩個階段的曲線末端呈現出相近的受限形態。
「一千四百度以上，碳化矽棒會釋放微量碳和矽蒸氣，碳進入熔區後留在晶格間隙里，前端剛被提純，爐子又在往裡添東西。」
黃昆接過兩份記錄，沿著第四遍後的斜率逐行核對，臉上的神情越來越沉。
「加熱體和熔體容器的潔淨度，已經成了這台爐子的上限。」
「要往七個九走，得換更清潔的加熱方式，射頻感應加熱配懸浮區熔是一條路，繼續改密封和隔離加熱體也能爭取空間。」
姜明在試驗結論後寫下兩種方向，現階段的高頻電源、線圈材料和爐體條件都難以支撐完整改造，他因此只把它們列入後續技術儲備。
王守武當天傍晚趕到物理所，坐在記錄台前從第一遍裝爐數據翻到第六遍電阻率曲線，又把六卷溫控紙帶按時間順序鋪開。
他自己的實驗室也做過矽區域提純，手動調壓時爐溫隨值班人員經驗移動，最好一批停在五個九，重複試驗還會出現明顯散差。
眼前這套閉環控制把溫度、推進位置和材料負載綁在同一組記錄里，六遍結果能夠互相覆核，差距已經落到工藝控制本身。
王守武翻了許久，才摘下眼鏡擦淨鏡片，又將六遍記錄和溫控曲線依次裝進灰藍色公文包。
他在封面上寫下502矽區域提純技術交接材料，隨後轉向姜明。
「這套資料我帶回組裡，我們把擴散爐和單晶生長一起排進下一步計劃，材料、設備和人都按聯合項目準備。」
此時此刻，第三電子廠厂部，吳漢章也從張廠長手中接過第二批預研資金批覆，審批單的矽材料專項經費已經單獨列項。
注釋欄里只有一行字，K波段預研緊急，資源優先保障。
吳漢章回到502時，方旭東正更新總進度表，他把批覆壓在矽單晶生長一欄旁，紙上的厂部紅章覆蓋了原先空著的資源編號。
矽區域提純已經轉入驗證完成狀態，下一項則寫著坩堝材料、保護氣氛、旋轉速度與BPS參數重算。
姜明翻開舊硬皮備忘錄，將鍺工藝驗證、矽區域提純、矽單晶生長、勞厄定向與雙擴散重試依次寫入階段結論。
雷振邦留下的五個九純度配合晶向控制，已經從鍺器件延伸到矽路線，舊方法正沿著新的材料體系繼續向前。
吳漢章看完那頁記錄，把第二批資金批覆向前推了推。
「經費到了，王守武那邊也準備動，他下一次來，帶的恐怕就不只是記錄了。」