第1126章 沒有集成基帶，所以功耗更高
「R6和znote4的物料清單已經凍結了，各條產線都在準備開始備貨，就是ultra那個版本……」俞學林看了陳星一眼，「我聽揚拓說，方案被你打回來了？」
「打回去了。」
「270克，11毫米厚，你覺得消費者拿在手裡是什麼感覺？」
俞學林笑了一聲，「270克？那確實過分了點。」
「不是過分了一點，是過分了很多。」陳星把手裡的筆扔到桌上，「後蓋用陶瓷我能理解，手感好，有質感，但陶瓷的良率你也清楚，X2就是吃了陶瓷的虧。」
「揚拓和巫海秋那幫人，一聽ultra就開始往裡面塞東西，恨不得把家裡的鍋碗瓢盆都塞進去。」
「超採樣系統要大鏡頭，大鏡頭就凸，凸了就得做厚機身去包，機身厚了電池也跟著做大了，電池大了重量就上去了，重量上去了手感就完蛋了。」
「一環扣一環，扣到最後出來一台270克的怪物。」
俞學林也有點頭疼，「那現在改的話，時間上會不會來不及？八月的發布會……」
「我跟揚拓說了，趕不上就推到年底，寧願晚也不拿半成品出來糊弄消費者。」
俞學林想了想，「其實咱們的開模調試速度在行業里已經是最快的了，整條供應鏈都是第一優先級給咱們服務。如果下個月中旬之前能定稿，我這邊緊趕慢趕，還是能凍結BOM趕上八月的節奏。」
「中旬之後呢？」
「那就只能等年底了，排產周期卡在那裡。」
陳星點了下頭，「那就給揚拓和巫海秋一個死線，七月十五號之前把修改後的方案定了，過了這個時間就別想八月上市了。」
「行，ultra的事情我盯著，揚拓那邊有進展我第一時間通知您。」
俞學林剛準備走，陳星又叫住了他。
「等一下，H3的量產情況怎麼樣了？」
「TSMC那邊28納米HPM工藝的產能，去年咱們就預定了，晶圓供應沒問題，已經開始量產了。」俞學林說，「陸教授那邊一直在調功耗和發熱。」
「主要是主頻拉到2.6GHz有點太高了。」
陳星沉吟了一下。
H3是凌霄系列的第三代晶片，也是紅星今年下半年所有旗艦產品的核心。
這顆晶片的性能跑分確實比較OK，紙面參數比驍龍800還要強一點點。
但是！
漏電問題在HPM工藝下，也開始隨著主頻拉高而暴露了。
讀好書上 TW 看書網，sʜᴜ.ᴛᴡ超省心
想了想，陳星按了一下桌面上的通話器。
「小沈，去請陸教授過來一趟。」
大約十坤分後，陸遠江才過來，進門看到俞學林也在衝著他點了點頭，然後說道：
「陳總，不好意思，實驗室那邊在跑一組頻率穩定性測試，走不開。」
「沒事，坐。」
陳星指了一下沙發，陸遠江在俞學林旁邊坐下。
「陸教授，俞總剛跟我說了H3的熱閾值調試還在進行，目前還有問題？」
陸遠江點了下頭，沒有任何遮掩。
「是的，坦白說問題比我預期的要頑固一些。」
「具體說說。」
「晶片主頻越高，需要的核心電壓越高。CPU的功耗和電壓的平方成正比，同時和頻率成正比。」
「HPM工藝本身的特點就是靜態漏電流比LP工藝更大，主頻越往上拉，越逼近工藝極限頻率，電晶體的漏電就越厲害。」
「通俗點說，就是晶片在什麼都不乾的時候，也在發熱。」
陳星點頭，這些基礎原理他也清楚。
俞學林插了一句，「空閒都在發熱？那幹活的時候豈不是……」
「所以問題就在這裡。」陸遠江把筆放下，「對比膏通驍龍800的2.3GHz到我們的2.6GHz，頻率提升了大約13%，但核心電壓也相應提升了，綜合下來功耗上漲了20%到30%之間。」
「這就是發熱的根源之一。」
陳星沒說話，等他繼續往下講。
陸遠江搓了搓手，「我們團隊做了一組和驍龍800的詳細對比數據，陳總你看一下。」
「驍龍800這顆SoC，短時峰值功耗大約在4.2到4.5瓦之間，可持續穩定釋放在2.8到3.2瓦。」
「我們凌霄H3呢，可持續穩定釋放是3.3到3.5瓦。這個差距不大，在可接受範圍內。」
陳星和俞學林對視了一眼，峰值功耗壓得比驍龍低，說明晶片本身的能效比不錯，起碼比膏通的驍龍800要強。
「日常輕負載的時候，比如刷圍脖、看新聞這種場景，整機SoC平均功耗在0.8到1.2瓦。idle空閒的漏電比驍龍800略高一點，這是2.6GHz高頻版本電晶體漏電的代價，沒法完全消除，只能通過調度策略去緩解。」
說到這裡，陸遠江停頓了一下。
「但是！」
「數據上網場景下，問題就出來了。」
「驍龍800在數據上網時，SoC加基帶的總功耗大約在3.4到3.8瓦。」
「我們凌霄H3呢，同樣的場景，總功耗要到4.0到4.4瓦。」
「打回去了。」
「270克，11毫米厚，你覺得消費者拿在手裡是什麼感覺？」
俞學林笑了一聲，「270克？那確實過分了點。」
「不是過分了一點，是過分了很多。」陳星把手裡的筆扔到桌上，「後蓋用陶瓷我能理解，手感好，有質感，但陶瓷的良率你也清楚，X2就是吃了陶瓷的虧。」
「揚拓和巫海秋那幫人，一聽ultra就開始往裡面塞東西，恨不得把家裡的鍋碗瓢盆都塞進去。」
「超採樣系統要大鏡頭，大鏡頭就凸，凸了就得做厚機身去包，機身厚了電池也跟著做大了，電池大了重量就上去了，重量上去了手感就完蛋了。」
「一環扣一環，扣到最後出來一台270克的怪物。」
俞學林也有點頭疼，「那現在改的話，時間上會不會來不及？八月的發布會……」
「我跟揚拓說了，趕不上就推到年底，寧願晚也不拿半成品出來糊弄消費者。」
俞學林想了想，「其實咱們的開模調試速度在行業里已經是最快的了，整條供應鏈都是第一優先級給咱們服務。如果下個月中旬之前能定稿，我這邊緊趕慢趕，還是能凍結BOM趕上八月的節奏。」
「中旬之後呢？」
「那就只能等年底了，排產周期卡在那裡。」
陳星點了下頭，「那就給揚拓和巫海秋一個死線，七月十五號之前把修改後的方案定了，過了這個時間就別想八月上市了。」
「行，ultra的事情我盯著，揚拓那邊有進展我第一時間通知您。」
俞學林剛準備走，陳星又叫住了他。
「等一下，H3的量產情況怎麼樣了？」
「TSMC那邊28納米HPM工藝的產能，去年咱們就預定了，晶圓供應沒問題，已經開始量產了。」俞學林說，「陸教授那邊一直在調功耗和發熱。」
「主要是主頻拉到2.6GHz有點太高了。」
陳星沉吟了一下。
H3是凌霄系列的第三代晶片，也是紅星今年下半年所有旗艦產品的核心。
這顆晶片的性能跑分確實比較OK，紙面參數比驍龍800還要強一點點。
但是！
漏電問題在HPM工藝下，也開始隨著主頻拉高而暴露了。
讀好書上 TW 看書網，sʜᴜ.ᴛᴡ超省心
想了想，陳星按了一下桌面上的通話器。
「小沈，去請陸教授過來一趟。」
大約十坤分後，陸遠江才過來，進門看到俞學林也在衝著他點了點頭，然後說道：
「陳總，不好意思，實驗室那邊在跑一組頻率穩定性測試，走不開。」
「沒事，坐。」
陳星指了一下沙發，陸遠江在俞學林旁邊坐下。
「陸教授，俞總剛跟我說了H3的熱閾值調試還在進行，目前還有問題？」
陸遠江點了下頭，沒有任何遮掩。
「是的，坦白說問題比我預期的要頑固一些。」
「具體說說。」
「晶片主頻越高，需要的核心電壓越高。CPU的功耗和電壓的平方成正比，同時和頻率成正比。」
「HPM工藝本身的特點就是靜態漏電流比LP工藝更大，主頻越往上拉，越逼近工藝極限頻率，電晶體的漏電就越厲害。」
「通俗點說，就是晶片在什麼都不乾的時候，也在發熱。」
陳星點頭，這些基礎原理他也清楚。
俞學林插了一句，「空閒都在發熱？那幹活的時候豈不是……」
「所以問題就在這裡。」陸遠江把筆放下，「對比膏通驍龍800的2.3GHz到我們的2.6GHz，頻率提升了大約13%，但核心電壓也相應提升了，綜合下來功耗上漲了20%到30%之間。」
「這就是發熱的根源之一。」
陳星沒說話，等他繼續往下講。
陸遠江搓了搓手，「我們團隊做了一組和驍龍800的詳細對比數據，陳總你看一下。」
「驍龍800這顆SoC，短時峰值功耗大約在4.2到4.5瓦之間，可持續穩定釋放在2.8到3.2瓦。」
「我們凌霄H3呢，可持續穩定釋放是3.3到3.5瓦。這個差距不大，在可接受範圍內。」
陳星和俞學林對視了一眼，峰值功耗壓得比驍龍低，說明晶片本身的能效比不錯，起碼比膏通的驍龍800要強。
「日常輕負載的時候，比如刷圍脖、看新聞這種場景，整機SoC平均功耗在0.8到1.2瓦。idle空閒的漏電比驍龍800略高一點，這是2.6GHz高頻版本電晶體漏電的代價，沒法完全消除，只能通過調度策略去緩解。」
說到這裡，陸遠江停頓了一下。
「但是！」
「數據上網場景下，問題就出來了。」
「驍龍800在數據上網時，SoC加基帶的總功耗大約在3.4到3.8瓦。」
「我們凌霄H3呢，同樣的場景，總功耗要到4.0到4.4瓦。」