第120章 1nm光刻機首測成功，震撼全場！
全員換上無塵工作服，經過三道安檢進入偌大的實驗室。
見到一台龐然大物，市委書記、市長、副市長等市領導同時愣住，安若素也是睫毛一顫。
安若素平時很少來鵬城大學，只有周末過來找老公，並未見過光刻機成品，此時指著大型設備激動道：「老公…這…這就是你研發的光刻機嗎？」
「對。」
蘇雲杉向市領導介紹：「各位領導，這就是由皇甫集團和鵬城大學聯合研製的High NA EUV光刻機，機身尺寸10米x5米x4米，整機重量約150噸，按照設計要求，可以量產1nm及以上製程晶片，實驗室可試產0.5nm晶片。」
嘩——
全場領導大驚！
看著光刻機怔怔出神。
皇甫君昨晚來過，見過總裝整機，此時再見，依然覺得震撼，光刻機通體啞光銀灰，輪廓方正厚重，如同貨櫃穩穩地扎在環氧地坪上。
蘇雲杉走近介紹：「這台設備是國內首台數值孔徑0.55的High NA極紫外光刻機，相較於國外傳統0.33NA EUV光刻機，可大幅提升解析度，列印8nm密集線條，突破晶片製造密度記錄，這也是它能夠突破1nm製程壁壘的核心關鍵。」
皇甫君母女三人、市領導、校領導跟在他身後，近距離觀摩，更能直觀地感受到它的精密和磅礴。
蘇雲杉摸著冰涼的機身繼續介紹——
「整機採用一體化真空密封艙體設計，外殼是特製航空級碳化矽材質，抗形變、耐高溫、耐腐蝕，表面啞光塗層經過百級無塵拋光處理，不沾微塵、極致平整，杜絕任何細微光線散射干擾。」
「設備搭載自研13.5nm波長高能脈衝等離子光源，最大功率突破350W，光源穩定性和光斑均勻性，均達到國際領先標準，徹底解決了傳統EUV光源功耗高、續航短、光斑偏差的缺陷。」
蘇雲杉抬手指著設備核心光學區域，繼續細緻講解。
「核心反射鏡組為七層超高精度鍍膜鏡片，經過原子級拋光工藝處理，面形精度誤差控制在0.05λ以內，表面粗糙度不足0.1納米，相當於單個原子直徑級別，可實現極致精準的光線反射和聚焦。」
啥啥啥……
說得是個啥……
安若素和安無恙姐妹倆聽得一頭霧水，但不明覺厲。
市委書記和市長此前做過國產光刻機的調研和考察工作，大概能聽懂，來之前也做過功課，聽到蘇雲杉報出的一組組參數，除了震驚還是震驚。
蘇雲杉接著報出一組極具含金量的核心參數。
「設備套刻精度控制在1.2納米以內，單次曝光解析度可達8納米，配合多重曝光工藝，量產端可穩定實現1nm製程晶片規模化投產。
實驗室極限工藝下，可完成0.5nm製程晶片的試產、疊代和良率測試。
同時，整機晶圓吞吐量可達每小時120片，單台設備年產能能夠支撐數十萬片先進位程晶圓產出，完全滿足車載智控晶片、高端手機、AI算力晶片的量產需求。」
哇——
市領導和校領導又是一驚！
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「整台設備核心國產化率達到100%，從真空腔體、精密運動工件台、雙工件台換片系統，到光源模組、光學鏡頭、精密校準控制系統，全部實現自主設計、自主製造，徹底擺脫海外核心零部件的技術壟斷。」
蘇雲杉最後總結道：「總之一句話，我可以負責任地告訴各位領導，這是當今世界上最先進的光刻機。」
天吶——
無塵實驗室一片沉寂，安靜得只能聽到各自的心跳聲和呼吸聲。
市領導和校領導很清楚，0.5nm實驗室試產、1nm規模化量產、100%國產化率，這三組數據意味著什麼。
此前全球高端光刻領域，EUV技術被阿斯麥爾獨家壟斷，國內先進位程晶片始終被卡在瓶頸，如今這台國產設備的問世，堪稱彎道超車，直接跳過EUV，站在High NA EUV的領頭羊位置。
但……
數據終歸是數據……
實際能做到嗎？
這個問題，皇甫君也想知道，沒等市領導開口，她先忍不住道：「蘇總，要不…現在開啟測試？」
這話問到了所有人的心坎里，一個個面露期待，包括教授、研究員、副教授等協作團隊。
他們只是按照蘇雲杉的要求製造零件、組裝、調試，對於能否系統化運轉，甚至達到設計要求，並不確定。
蘇雲杉抬起腕錶看時間，「剛好9點整，好，請工作人員就位，聽我指令，正式開啟首次測試。」
一位工程師緊張地站在主控台前，由於設備高度自動化，人工干預較少，只需一人操作即可。
眾人凝神屏息，面露緊張之色。
蘇雲杉平靜地發布指令：「開始上機前自檢，執行S1全鏈路校驗。」
唰——
終端界面瞬間刷新海量數據流，整機光源系統、七組超高精度反射鏡組、雙工件台、精密對焦系統、光路校準模塊同步啟動自檢。
屏幕上，光路偏差、鏡面面形誤差、工件台定位參數、真空潔淨度、雷射光斑均勻性等上百項核心指標，逐條跳轉為綠色合格狀態。
蘇雲杉繼續下達指令：「載入1nm標準SRAM光刻版圖，啟動光源預激發，功率拉至320W穩態。」
嗡——
設備內部傳出一陣極其低沉、穩定、細膩的機械共振聲，沒有劇烈震動，沒有刺眼光亮，極致精密的工業設備，運轉起來只有近乎細微的低頻嗡鳴。
咚咚…咚咚…咚咚……
皇甫君心跳加速，緊盯腔體內部。
只見13.5nm極紫外高能等離子光源瞬間起弧，經過多層高精度光學鏡組，多次反射、收斂、勻化，一束極窄的EUV光束，沿著超長真空光路貫穿整機，精準投射至晶圓表面。
嘖嘖嘖……
安若素心中暗嘆：好科幻的樣子…這玩意兒是我老公造出來的？他怕不是個外星人吧……
「雙工件台切換，載入12英寸裸晶圓，執行對位校準。」蘇雲杉慢條斯理道。
機械結構在真空腔體內無聲滑移，國產高精度雙工件台以納米級精度平穩位移，定位誤差嚴格控制在±0.3nm，晶圓邊緣標記點與機台對位基準瞬間完成毫秒級貼合，套刻預偏差歸零。
外行看熱鬧，內行看門道。
半導體製造研究院院長、光刻機研發中心主任以及教授等團隊成員，神色越發震驚。
他們的目光死死鎖定主控屏幕，無人敢出聲打擾半分。
懂行的人都清楚，這一步對位校準，是1nm製程光刻最核心、最考驗技術的關鍵環節，分毫偏差都會導致整片晶圓報廢。
蘇雲杉緊盯實時成像數據，沉聲確認：「對位合格，啟動單次曝光，劑量240mJ/cm²，聚焦閾值鎖定0.8nm。」
下一秒，EUV光束精準擊穿光刻膠表層，在晶圓基底上完成極致精微的電路圖形復刻。
整個曝光過程無聲無息，無任何肉眼可見光影，卻在微觀尺度完成了千億級電晶體電路的精準刻畫。
單次曝光結束，機台自動完成移片、對焦、二次校準，開啟多重曝光疊加工藝，完美適配1nm製程的圖形拼接需求。
三分鐘後，首批測試晶圓曝光工序全部完成，設備自動卸載晶圓，送入後端在線檢測工位。
缺陷檢測機和線寬量測機瞬間啟動掃描，海量微觀成像數據快速刷新在大屏之上。
當最終檢測結果跳出的那一刻，團隊成員呼吸同時停滯。
大屏幕上清晰顯示——
實測線寬：1.02nm
套刻精度：1.18nm
邊緣粗糙度：≤0.45nm
微觀缺陷數：0
轟！！！
團隊瞬間炸了！！！
「神吶！所有核心參數全部達到甚至超越國際商用1nm製程標準！！」
「蘇總研發的國產High NA EUV光刻機竟然成功了！！！」
不是……
成功了？
安若素和安無恙兩位門外漢相視一眼，對於不懂的人來說，連是否成功都無法分辨。
見到一台龐然大物，市委書記、市長、副市長等市領導同時愣住，安若素也是睫毛一顫。
安若素平時很少來鵬城大學，只有周末過來找老公，並未見過光刻機成品，此時指著大型設備激動道：「老公…這…這就是你研發的光刻機嗎？」
「對。」
蘇雲杉向市領導介紹：「各位領導，這就是由皇甫集團和鵬城大學聯合研製的High NA EUV光刻機，機身尺寸10米x5米x4米，整機重量約150噸，按照設計要求，可以量產1nm及以上製程晶片，實驗室可試產0.5nm晶片。」
嘩——
全場領導大驚！
看著光刻機怔怔出神。
皇甫君昨晚來過，見過總裝整機，此時再見，依然覺得震撼，光刻機通體啞光銀灰，輪廓方正厚重，如同貨櫃穩穩地扎在環氧地坪上。
蘇雲杉走近介紹：「這台設備是國內首台數值孔徑0.55的High NA極紫外光刻機，相較於國外傳統0.33NA EUV光刻機，可大幅提升解析度，列印8nm密集線條，突破晶片製造密度記錄，這也是它能夠突破1nm製程壁壘的核心關鍵。」
皇甫君母女三人、市領導、校領導跟在他身後，近距離觀摩，更能直觀地感受到它的精密和磅礴。
蘇雲杉摸著冰涼的機身繼續介紹——
「整機採用一體化真空密封艙體設計，外殼是特製航空級碳化矽材質，抗形變、耐高溫、耐腐蝕，表面啞光塗層經過百級無塵拋光處理，不沾微塵、極致平整，杜絕任何細微光線散射干擾。」
「設備搭載自研13.5nm波長高能脈衝等離子光源，最大功率突破350W，光源穩定性和光斑均勻性，均達到國際領先標準，徹底解決了傳統EUV光源功耗高、續航短、光斑偏差的缺陷。」
蘇雲杉抬手指著設備核心光學區域，繼續細緻講解。
「核心反射鏡組為七層超高精度鍍膜鏡片，經過原子級拋光工藝處理，面形精度誤差控制在0.05λ以內，表面粗糙度不足0.1納米，相當於單個原子直徑級別，可實現極致精準的光線反射和聚焦。」
啥啥啥……
說得是個啥……
安若素和安無恙姐妹倆聽得一頭霧水，但不明覺厲。
市委書記和市長此前做過國產光刻機的調研和考察工作，大概能聽懂，來之前也做過功課，聽到蘇雲杉報出的一組組參數，除了震驚還是震驚。
蘇雲杉接著報出一組極具含金量的核心參數。
「設備套刻精度控制在1.2納米以內，單次曝光解析度可達8納米，配合多重曝光工藝，量產端可穩定實現1nm製程晶片規模化投產。
實驗室極限工藝下，可完成0.5nm製程晶片的試產、疊代和良率測試。
同時，整機晶圓吞吐量可達每小時120片，單台設備年產能能夠支撐數十萬片先進位程晶圓產出，完全滿足車載智控晶片、高端手機、AI算力晶片的量產需求。」
哇——
市領導和校領導又是一驚！
全網首發更新 海量小說在 TW 看書網，𝙨𝙝𝙪.𝙩𝙬任你讀
「整台設備核心國產化率達到100%，從真空腔體、精密運動工件台、雙工件台換片系統，到光源模組、光學鏡頭、精密校準控制系統，全部實現自主設計、自主製造，徹底擺脫海外核心零部件的技術壟斷。」
蘇雲杉最後總結道：「總之一句話，我可以負責任地告訴各位領導，這是當今世界上最先進的光刻機。」
天吶——
無塵實驗室一片沉寂，安靜得只能聽到各自的心跳聲和呼吸聲。
市領導和校領導很清楚，0.5nm實驗室試產、1nm規模化量產、100%國產化率，這三組數據意味著什麼。
此前全球高端光刻領域，EUV技術被阿斯麥爾獨家壟斷，國內先進位程晶片始終被卡在瓶頸，如今這台國產設備的問世，堪稱彎道超車，直接跳過EUV，站在High NA EUV的領頭羊位置。
但……
數據終歸是數據……
實際能做到嗎？
這個問題，皇甫君也想知道，沒等市領導開口，她先忍不住道：「蘇總，要不…現在開啟測試？」
這話問到了所有人的心坎里，一個個面露期待，包括教授、研究員、副教授等協作團隊。
他們只是按照蘇雲杉的要求製造零件、組裝、調試，對於能否系統化運轉，甚至達到設計要求，並不確定。
蘇雲杉抬起腕錶看時間，「剛好9點整，好，請工作人員就位，聽我指令，正式開啟首次測試。」
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眾人凝神屏息，面露緊張之色。
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設備內部傳出一陣極其低沉、穩定、細膩的機械共振聲，沒有劇烈震動，沒有刺眼光亮，極致精密的工業設備，運轉起來只有近乎細微的低頻嗡鳴。
咚咚…咚咚…咚咚……
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只見13.5nm極紫外高能等離子光源瞬間起弧，經過多層高精度光學鏡組，多次反射、收斂、勻化，一束極窄的EUV光束，沿著超長真空光路貫穿整機，精準投射至晶圓表面。
嘖嘖嘖……
安若素心中暗嘆：好科幻的樣子…這玩意兒是我老公造出來的？他怕不是個外星人吧……
「雙工件台切換，載入12英寸裸晶圓，執行對位校準。」蘇雲杉慢條斯理道。
機械結構在真空腔體內無聲滑移，國產高精度雙工件台以納米級精度平穩位移，定位誤差嚴格控制在±0.3nm，晶圓邊緣標記點與機台對位基準瞬間完成毫秒級貼合，套刻預偏差歸零。
外行看熱鬧，內行看門道。
半導體製造研究院院長、光刻機研發中心主任以及教授等團隊成員，神色越發震驚。
他們的目光死死鎖定主控屏幕，無人敢出聲打擾半分。
懂行的人都清楚，這一步對位校準，是1nm製程光刻最核心、最考驗技術的關鍵環節，分毫偏差都會導致整片晶圓報廢。
蘇雲杉緊盯實時成像數據，沉聲確認：「對位合格，啟動單次曝光，劑量240mJ/cm²，聚焦閾值鎖定0.8nm。」
下一秒，EUV光束精準擊穿光刻膠表層，在晶圓基底上完成極致精微的電路圖形復刻。
整個曝光過程無聲無息，無任何肉眼可見光影，卻在微觀尺度完成了千億級電晶體電路的精準刻畫。
單次曝光結束，機台自動完成移片、對焦、二次校準，開啟多重曝光疊加工藝，完美適配1nm製程的圖形拼接需求。
三分鐘後，首批測試晶圓曝光工序全部完成，設備自動卸載晶圓，送入後端在線檢測工位。
缺陷檢測機和線寬量測機瞬間啟動掃描，海量微觀成像數據快速刷新在大屏之上。
當最終檢測結果跳出的那一刻，團隊成員呼吸同時停滯。
大屏幕上清晰顯示——
實測線寬：1.02nm
套刻精度：1.18nm
邊緣粗糙度：≤0.45nm
微觀缺陷數：0
轟！！！
團隊瞬間炸了！！！
「神吶！所有核心參數全部達到甚至超越國際商用1nm製程標準！！」
「蘇總研發的國產High NA EUV光刻機竟然成功了！！！」
不是……
成功了？
安若素和安無恙兩位門外漢相視一眼，對於不懂的人來說，連是否成功都無法分辨。