第625章 實話實說，這有點不科學
陳雲海繼續往下看技術參數。存儲單元結構、頁大小、塊大小、擦寫次數、數據保持時間、讀寫IO帶寬。
每一個參數後面都附了台積電流片驗證報告的對應截圖和編號。
他把幾個關鍵參數抄到了筆記本上，和自己腦子裡三星、東芝同規格產品的公開數據做了一輪對比。
紅星這枚顆粒的讀寫速度比三星同容量產品低了大約20%以上。
擦寫壽命也短了不少，起碼25%。
但是——
能跑。
數據能對得上。
參數在合理範圍內。
陳雲海把筆擱下來，摘了眼鏡，用手掌按了按眼眶。
當了二十多年院士，評審過的晶片項目少說也有上百個。
那些年華夏的半導體圈子裡什麼么蛾子都出過，假數據、改良率、甚至花錢買國外的die回來重新封裝貼個國產標籤。
漢芯的事情到現在還是整個行業的奇恥大辱。
所以陳雲海對任何宣稱國產突破的材料，本能的第一反應就是不信，先證偽，再考慮信不信。
但蔡永芯這份報告裡的數據，他挑不出毛病。
不是完美的那種挑不出，反而是那些不完美的地方讓他覺得可信——讀寫速度比三星低15%，擦寫壽命短一到兩成，良率78%不算高——這恰恰是一個真正的首次流片晶片應該有的水平。
如果所有參數都和三星一模一樣甚至更好，那才有鬼。
陳雲海重新戴上眼鏡，拿起電話打給了趙利劍。
「趙部長，材料我初步看了。」
「陳院士，怎麼樣？」
「紙面上挑不出明顯問題，但我需要看實物，看完整的設計文檔和流片wafer的測試報告原件。」
陳雲海停了一下。
「趙部長，如果這枚晶片是真的，你知道這意味著什麼。」
「我知道。」
「那就安排個時間，我要當面驗證。
兩天後，工信部七樓的小會議室里坐了五個人。
趙利劍坐在長桌的主位，右手邊是陳雲海，左手邊是電子信息司的李文海。
對面是蔡永芯，以及陳星安排留在帝都配合工作的陸遠江。
全網首發更新看書就上 TW 看書網，精彩盡在𝐬𝐡𝐮.𝐭𝐰
陸遠江面前的桌上擺著三樣東西。
一個亞克力盒子，裡面躺著那枚黑色的NAND顆粒。
一份裝訂成冊的技術文檔，厚度超過兩厘米。
一個移動硬碟，裡面存著台積電出具的完整流片測試報告。
陳雲海沒有先看文檔，而是先把那枚晶片取了出來。
他從自己的包里掏出一隻便攜放大鏡和一把防靜電鑷子,鑷子夾起晶片翻到背面，放大鏡湊到距離晶片大約三厘米的位置。
陳雲海看了足有半分鐘，期間沒有任何人出聲。
會議室里安靜到能聽見空調出風口的嗡嗡聲。
「die的面積大約在多少？」陳雲海開口問，眼睛沒離開鏡片。
「67平方毫米。」陸遠江答道。
陳雲海把放大鏡放下，在腦子裡算了一下。32nm製程、1GB容量、67平方毫米的die面積，這個數字和三星同期的K9F8G08U0M相比偏大了約12%，屬於首次投片的正常偏差範圍。
他把晶片放回盒子裡，伸手翻開了那本技術文檔。
文檔的第一章是存儲單元結構設計。陳雲海從第一頁開始看，看了大約十頁後把手指按在其中一張電路示意圖上。
「這個浮柵結構的隧穿氧化層厚度你們取了多少？」
「7.2納米。」陸遠江不需要翻文檔，直接回答。
「比三星的公開參數薄了將近一個納米，你們做過可靠性驗證嗎？擦寫一萬次以後的氧化層退化情況怎麼樣？」
陸遠江從移動硬碟里調出一份spreadsheet，轉過筆記本電腦的屏幕讓陳雲海看。
「擦寫一萬次後氧化層閾值電壓漂移0.3V，在可接受範圍的邊緣，我們後續會在量產版本中把厚度調回到7.5納米，犧牲一點寫入速度換可靠性。」
陳雲海盯著屏幕上的數據曲線看了幾秒，手指沿著橫軸從一千次滑到一萬次。
曲線的走勢是對的。前兩千次幾乎是平坦的，兩千次到五千次開始有可見的上升，五千次以後斜率增大。
這個退化曲線的形狀和他在學術文獻里看到的三星同類產品的公開數據高度一致。
「你以前在奇夢達做的是DRAM。」
陳雲海說這句話的時候抬起頭，直接看著陸遠江。
陸遠江點了一下頭。
「DRAM和NAND的工藝相通性確實超過60%，但剩下那40%的差異——存儲單元結構、多值存儲的編程算法、壞塊管理策略，這些跨得過去嗎？」
坐在一旁的趙利劍和李文海都把目光投向了陸遠江。
這個問題不是隨便問問，這是整份報告最核心的質疑點。
一個做DRAM出身的團隊轉做NAND，跨度有多大？
陸遠江的回答不急不慢。
「陳院士，您說的這40%的差異確實是我們遇到的最困難的部分,坦白講，奇夢達時期我們的DRAM設計經驗在存儲陣列的布局、位線驅動電路、靈敏放大器這些方面幫了很大的忙，但在NAND特有的浮柵編程策略和多值判讀上，我們走了接近一年的彎路。」
「這是我們的ISPP編程算法方案，增量步進脈衝編程，每一步的電壓步進量從最初的0.5V調到了0.2V，付出的代價是編程時間增加了約40%，但換來了閾值電壓分布的收窄，多值存儲的誤碼率控制在了10的負15次方以下。」
每一個參數後面都附了台積電流片驗證報告的對應截圖和編號。
他把幾個關鍵參數抄到了筆記本上，和自己腦子裡三星、東芝同規格產品的公開數據做了一輪對比。
紅星這枚顆粒的讀寫速度比三星同容量產品低了大約20%以上。
擦寫壽命也短了不少，起碼25%。
但是——
能跑。
數據能對得上。
參數在合理範圍內。
陳雲海把筆擱下來，摘了眼鏡，用手掌按了按眼眶。
當了二十多年院士，評審過的晶片項目少說也有上百個。
那些年華夏的半導體圈子裡什麼么蛾子都出過，假數據、改良率、甚至花錢買國外的die回來重新封裝貼個國產標籤。
漢芯的事情到現在還是整個行業的奇恥大辱。
所以陳雲海對任何宣稱國產突破的材料，本能的第一反應就是不信，先證偽，再考慮信不信。
但蔡永芯這份報告裡的數據，他挑不出毛病。
不是完美的那種挑不出，反而是那些不完美的地方讓他覺得可信——讀寫速度比三星低15%，擦寫壽命短一到兩成，良率78%不算高——這恰恰是一個真正的首次流片晶片應該有的水平。
如果所有參數都和三星一模一樣甚至更好，那才有鬼。
陳雲海重新戴上眼鏡，拿起電話打給了趙利劍。
「趙部長，材料我初步看了。」
「陳院士，怎麼樣？」
「紙面上挑不出明顯問題，但我需要看實物，看完整的設計文檔和流片wafer的測試報告原件。」
陳雲海停了一下。
「趙部長，如果這枚晶片是真的，你知道這意味著什麼。」
「我知道。」
「那就安排個時間，我要當面驗證。
兩天後，工信部七樓的小會議室里坐了五個人。
趙利劍坐在長桌的主位，右手邊是陳雲海，左手邊是電子信息司的李文海。
對面是蔡永芯，以及陳星安排留在帝都配合工作的陸遠江。
全網首發更新看書就上 TW 看書網，精彩盡在𝐬𝐡𝐮.𝐭𝐰
陸遠江面前的桌上擺著三樣東西。
一個亞克力盒子，裡面躺著那枚黑色的NAND顆粒。
一份裝訂成冊的技術文檔，厚度超過兩厘米。
一個移動硬碟，裡面存著台積電出具的完整流片測試報告。
陳雲海沒有先看文檔，而是先把那枚晶片取了出來。
他從自己的包里掏出一隻便攜放大鏡和一把防靜電鑷子,鑷子夾起晶片翻到背面，放大鏡湊到距離晶片大約三厘米的位置。
陳雲海看了足有半分鐘，期間沒有任何人出聲。
會議室里安靜到能聽見空調出風口的嗡嗡聲。
「die的面積大約在多少？」陳雲海開口問，眼睛沒離開鏡片。
「67平方毫米。」陸遠江答道。
陳雲海把放大鏡放下，在腦子裡算了一下。32nm製程、1GB容量、67平方毫米的die面積，這個數字和三星同期的K9F8G08U0M相比偏大了約12%，屬於首次投片的正常偏差範圍。
他把晶片放回盒子裡，伸手翻開了那本技術文檔。
文檔的第一章是存儲單元結構設計。陳雲海從第一頁開始看，看了大約十頁後把手指按在其中一張電路示意圖上。
「這個浮柵結構的隧穿氧化層厚度你們取了多少？」
「7.2納米。」陸遠江不需要翻文檔，直接回答。
「比三星的公開參數薄了將近一個納米，你們做過可靠性驗證嗎？擦寫一萬次以後的氧化層退化情況怎麼樣？」
陸遠江從移動硬碟里調出一份spreadsheet，轉過筆記本電腦的屏幕讓陳雲海看。
「擦寫一萬次後氧化層閾值電壓漂移0.3V，在可接受範圍的邊緣，我們後續會在量產版本中把厚度調回到7.5納米，犧牲一點寫入速度換可靠性。」
陳雲海盯著屏幕上的數據曲線看了幾秒，手指沿著橫軸從一千次滑到一萬次。
曲線的走勢是對的。前兩千次幾乎是平坦的，兩千次到五千次開始有可見的上升，五千次以後斜率增大。
這個退化曲線的形狀和他在學術文獻里看到的三星同類產品的公開數據高度一致。
「你以前在奇夢達做的是DRAM。」
陳雲海說這句話的時候抬起頭，直接看著陸遠江。
陸遠江點了一下頭。
「DRAM和NAND的工藝相通性確實超過60%，但剩下那40%的差異——存儲單元結構、多值存儲的編程算法、壞塊管理策略，這些跨得過去嗎？」
坐在一旁的趙利劍和李文海都把目光投向了陸遠江。
這個問題不是隨便問問，這是整份報告最核心的質疑點。
一個做DRAM出身的團隊轉做NAND，跨度有多大？
陸遠江的回答不急不慢。
「陳院士，您說的這40%的差異確實是我們遇到的最困難的部分,坦白講，奇夢達時期我們的DRAM設計經驗在存儲陣列的布局、位線驅動電路、靈敏放大器這些方面幫了很大的忙，但在NAND特有的浮柵編程策略和多值判讀上，我們走了接近一年的彎路。」
「這是我們的ISPP編程算法方案，增量步進脈衝編程，每一步的電壓步進量從最初的0.5V調到了0.2V，付出的代價是編程時間增加了約40%，但換來了閾值電壓分布的收窄，多值存儲的誤碼率控制在了10的負15次方以下。」